|
|
|
结果: 找到相关主题 5404 个
-
600v4a场效应管,600vmos,to252,KND4360A参数资料-KIA MOS管
KND4360A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流4A，采用先进的沟槽技术制造，极低导通电阻RDS(开启) 1.9Ω，最大限度地减少导电损耗，表现出卓越的导通特性；还具有快速切换能力，提高效率，经过100%雪崩测试、改进的dv/dt能力能够更好地应对电路中的快速变化，能...www.kiaic.com/article/detail/6009.html 2025-11-03
-
欧姆单位换算,电阻单位换算详解-KIA MOS管
欧姆（Ω）是国际单位制中电阻的标准单位，用于量化导体对电流的阻碍作用。常用换算单位包括毫欧（mΩ）、千欧（kΩ）、兆欧（MΩ）等，单位间转换遵循千进制规则。www.kiaic.com/article/detail/6008.html 2025-11-03
-
rc电路充电时间,rc充电时间计算公式-KIA MOS管
RC充电的通用公式：Vt=V0+(V1-V0) *[1-exp(-t/RC)]Vt：t时刻电容电压（单位：伏特V）。V0：充电初始电压（单位：伏特V）。V1：充电最终电压（单位：伏特V）。exp：以自然常数e为底的指数函数。t：时间（单位：秒s）。www.kiaic.com/article/detail/6007.html 2025-11-03
-
3706场效应管,60v50a mos,to252,KND3706A参数-KIA MOS管
KND3706A场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流50A，采用先进的高密度沟槽技术制造，为多数同步降压转换器应用提供优异的RDS（导通）和栅极电荷性能。具有极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；超低栅极电荷、100%EAS认证、卓越的Cdv/d...www.kiaic.com/article/detail/6006.html 2025-10-31
-
音响保护电路,扬声器保护电路图分享-KIA MOS管
当主功率放大器的输出端直流电压为0V时，VT1管因为没有偏置电压而截止；VT2管发射极和基极电压都为0V，VT2管截止；因为VT2管截止，VT3管基极电流没有回路，所以使VT3也截止；VT3管截止，其发射极电压高，使VT4管基极电压高，VT4管是PNP型三极管，所以VT4管也截...www.kiaic.com/article/detail/6005.html 2025-10-31
-
蓝牙音箱电路详解,蓝牙音箱电路原理图-KIA MOS管
电源类型：可分为电池供电（如锂电池）或电源适配器供电。电池供电时需配合充电管理芯片，功放芯片多采用D类放大芯片以实现大音量输出。电压稳定：部分电路通过PI型滤波电路（由电容、电阻组成）稳定电压，防止电压波动损坏芯片。www.kiaic.com/article/detail/6004.html 2025-10-31
-
80R240场效应管,800Vmos管,to220f,KLF80R240B参数-KIA MOS管
KLF80R240B是一款n沟道多外延Super-JMOSFET，漏源击穿电压800V，漏极电流18A，低导通电阻RDS(on) 205mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，能够减少功耗并提高效率；具有高耐压特性和低电阻特性，超快切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，抗冲击能力强...www.kiaic.com/article/detail/5896.html 2025-10-30
-
80r240,800v18a,KLM80R240B场效应管参数-KIA MOS管
KLM80R240B超结MOSFET是一种采用多层外延工艺的功率半导体器件，通过优化芯片结构实现低内阻、高抗浪涌能力和快速开关特性。80r240?漏源击穿电压800V，漏极电流18A，低导通电阻RDS(on) 205mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，提高效率；还具有高耐压...www.kiaic.com/article/detail/6003.html 2025-10-30
-
无线充电原理图,无线充电模块原理-KIA MOS管
无线充电的基本原理就是常用的开关电源原理，区别在于没有磁介质耦合，需要利用磁共振的方式提高耦合效率，具体方法是在发送端和接收端线圈串并联电容，是发送线圈处理谐振状态，接收端线圈也是如此。www.kiaic.com/article/detail/6002.html 2025-10-30
-
车载充电器电路图,工作原理详解-KIA MOS管
车载USB充电器是插在汽车的点烟器上工作的 ，点烟器的直流电压是由汽车上蓄电池供应的。小轿车、SUV点烟器上的电是压是DC12V，大型车点烟器上的电是压是DC24V。因此设计车载USB充电器输入电压要12-24VDC宽电压输入，以达到大小汽车通用。www.kiaic.com/article/detail/6001.html 2025-10-30
-
60r380场效应管,超结mos,600v11a,KLF60R380B参数-KIA MOS管
KLF60R380B场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流11A，采用KIA先进的超级结技术制造，有效降低导通损耗，提供卓越的开关性能，低?导通电阻RDS(开启) 0.34Ω，低栅极电荷33nC，高效低耗；还具有高耐用性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，在雪崩模式和...www.kiaic.com/article/detail/6000.html 2025-10-29
-
充电保护电路原理图,锂电池保护电路分享-KIA MOS管
当充电过充时，锂电池端电压超过4.28V（该值由控制IC设定），“Cout”脚输出低电平，使Q2断开，虽二极管D1及Q1导通，但Q2截止及二极管D2反偏，迫使充电停止，防止了过充，由于有D2的存在，使放电不受影响。www.kiaic.com/article/detail/5999.html 2025-10-29
-
过流保护电路原理图,工作原理详解-KIA MOS管
在电源输入端串一个采样电阻到PMOS的源极S，那么这个采样电阻就会有电压差，三极管的be并到这个电阻，当压差大于Vbe时，Vgs就0了，PMOS关闭，实现过流保护。www.kiaic.com/article/detail/5998.html 2025-10-29
-
830场效应管,500vmos,to252,KIA830HD参数引脚图-KIA MOS管
KIA830HD场效应管漏源电压500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(开启) 1.0Ω，最大限度地减少导电损耗，提高效率；器件具有低电阻和低栅极电荷的特点，符合RoHS环保要求，稳定可靠，在峰值电流或脉冲宽度方面，都能够表现出卓越的性能；830场效应管可以替代irf830、...www.kiaic.com/article/detail/5997.html 2025-10-28